О факультете Структура Сотрудники Образование Наука Физика в Сети Не только физика
Школьнику
Абитуриенту
Студенту
Магистранту
Аспиранту
Выпускнику
Преподавателю
Сотруднику
Деканат сообщает
Контакты
СМИ о нас
Почта ФФ
Сервисы почты и сайта

ГлавнаяСтруктура ФФ Кафедра физики полупроводников ⇒ Публикации

:: О кафедре :: Сотрудники кафедры :: Читаемые курсы :: Научные направления :: Публикации :: Сайт кафедры

Наиболее важные публикации кафедры физики полупроводников

  1. Bobrovnikova I.A., Lavrent'eva L.G., Rusaikin M.P., Vilisova M.D. Doping and impurity-vacancy complex formation during vapour-phase epitaxy of gallium arsenide // J. Crystal Growth, 1992, V.123, Issue 3-4, p.529-536.
  2. Chaldyshev V.V., Astrova E.V. Lebedev A.A. Bobrovnikova I.A Chernov N.A., Ivleva O.M., Lavrentieva L.G., Teterkina I.V. Vilisova M.D. Vapor phase epitaxial grown GaAs films wish a very low-deep level concentration // J. Cryst. Growth, 1995, V.146, p.246-250.
  3. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.V., Local neutrality conception: Femvi level pinning in defective semiconductors // Physica B: Condensed Matter, 1995, V.212, p.429-435.
  4. Владимирова С.Ю., Ивонин И.В., Катаев Ю.Г., Лаврентьева Л.Г., Порохoвниченко Л.П. Кинетика кристаллизации арсенида галлия при латеральной эпитаксии в хлоридной газотранспортной системе // Кристаллография, 1995, Т.40, c.916-919.
  5. Гриняев С.Н., Чалдышев В.А. Электронный спектр глубоких уровней в арсениде галлия с мышьяковыми кластерами // Физика и техника полупроводников, 1996, Т.30, №12, c.88-94.
  6. Verozubova, G.A., Gribenyukov, A.I., Korotkova, V.V., Ruzaikin, M.P. ZnGeP2 synthesis and growth from melt // Material Research and Engineering B, 1997, V.48, p.191- 197.
  7. Yu.Yu.Hervieu, M.P.Ruzaikin. Surface processes of impurity incorporation during MBE growth // Surface Science, 1998, V.408, p.57-70.
  8. Вилисова М.Д., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Субач С.В., Якубеня М.П., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В. Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре // Физика и техника полупроводников, 1999, Т.33, №8,c.900-906.
  9. Брудный В.Н. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия // Физика и техника полупроводников, 1999, Т.33, №11, c.1290-1294.
  10. Bozhkov V. G., Kuzyakov D. Ju. Low-frequency noise and current-voltage characteristics of Schottky barrier contacts in a wide temperature range // J. Appl. Phys., 2002, v.92, p. 4502-4512.
  11. Ivonin I.V., Lavrentieva L.G., Porokhovnichenko L.P. Lateral epitaxy of gallium arsenide by chloride vapor transport // Growth of Crystals. Kluwer Academic (Consultants Bureau). N.Y., Boston, Dordrecht, London, Moscow, 2002, v.21, p.25-35.
  12. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Statistics of second layer nucleation in heteroepitaxial growth // Surf. Sci., 2002, V.507/510, p. 270-275.
  13. Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Бобровникова И.А., Торопов С.Е., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Путято М.А., Чалдышев В.В. Избыточный мышьяк и точечные дефекты в GaAs, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах // Журнал структурной химии, 2004, т. 45, с. 89 - 95.
  14. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Terrace-edge-kink model of atomic processes at the permeable steps // Surface Science, 2004, V.553, p.133 -144.
  15. Filimonov S.N., Voigtlаеnder B. "Rotating’’steps in Si(001) homoepitaxy // Surface Science, 2004, V.549, p. 31 – 36.
  16. Cherepanov V., Filimonov S., Myslivecek J., Voigtlander B. Scaling of submonolayer island sizes in surfactant mediated epitaxy of semiconductors // Phys. Rev. B, 2004, V.70, 085401.
  17. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Kolin N.G. A model for Fermi-level pinning in semiconductors: radiation defects, interface boundaries // Physica B, 2004, V.348, p.213 -225.
  18. Брудный В.Н., Воеводин В.Г., Гриняев С.Н. Глубокие уровни собственных точечных дефектов и природа “аномального” оптического поглощения в ZnGeP2 // Физика твердого тела, 2006, т.48, №11, с.1949-1961.
  19. Paul N., Filimonov S., Cherepanov V., Cakmak M. and Voigtlander B. Identification of Ge/Si Intermixing Processes at the Bi/Ge/Si (111) Surface // Phys. Rev. Lett., 2007, V.98, 166104.
  20. Filimonov S., Cherepanov V., Hervieu Yu., Voigtlaender B. Multistage nucleation of two-dimensional islands on Si/Si(111)-7x7 during MBE growth: STM experiments and extended rate-equation model. Phys. Rev. B, 2007, V.76, 035428.
  21. Tronc P., Zhuravlev K.S., Mansurov V.G., Karavaev G.F., Grinyaev S.N., Milosevic I., Damnjanovic M. Optical properties of photodetectors based on wurtzite quantum dot arrays // Phys. Rev. B, 2008, V.77, 165328.
  22. А.Н.Разжувалов, С.Н.Гриняев “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001). ФТТ, т.51, №1, с.178-188, 2009.
  23. Торхов Н.А., Божков В.Г., Ивонин И.В., Новиков В.А. Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе // Физика и техника полупроводников, 2009, Т.43, вып.1, С.38-46.
  24. Бобровникова И.А., Ивонин И.В., Новиков В.А., Преображенский В.В. Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молуклярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия // Физика и техника полупроводников, 2009, Т.43, вып. 3, С.422-428.
  25. Filimonov S., Hervieu Yu. Kink formation kinetics and submonolayer density of magic two-dimensional islands in molecular beam epitaxy // Phys. Rev. E, V.80, 2009, 051603.
  26. Назарчук Ю.Н., Новиков В.А., Торхов Н.А. Исследование влияния размера локальной металлизации поверхности n-GaAs на картину распределения поверхностного потенциала, полученного методом атомно-силовой микроскопии //Изв. вузов. Физика, 2011, т.54, №3 с.32-35.
  27. Grinyaev S.N., Nikitina L.N., Tuyterev V.G. Intervalley Electron-Phonon Scattering in Ultra-Thin (GaAs)m(AlAs)n(001) Superlattices // Advances in Materials Science Research, Nova Publishers, 2011, Vol.2, Chapter 9, p.155-176.
  28. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Kinetics of two-dimensional island nucleation on reconstructed surfaces // Phys. Rev. B, 2012, V.85, 045423.
  29. Korte S., Romanyuk K., Schnitzler B., Cherepanov V., Voigtlander B., Filimonov S.N. Selective adsorption of C60 on Ge/Si nanostructures // Phys. Rev. Lett., 2012, V.108, 116101.
  30. Брудный В.Н., Кособуцкий А.В. Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW – приближения // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, Т.141, Вып.6, С.1-7.
:: О кафедре :: Сотрудники кафедры :: Читаемые курсы :: Научные направления :: Публикации :: Сайт кафедры